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2013(平成25)年9月 認定

株式会社FLOSFIA (フロスフィア)

認定事業名

ミストCVDを用いた金属酸化膜形成技術の産業応用

良質な酸化膜を形成するミストCVD法を用いて、耐食・耐摩耗コーティング分野と、パワーデバイス分野の2つの異なる分野での応用技術開発を行い、各分野における事業化を進める。
事業概要
画期的な新材料として注目される「コランダム構造酸化ガリウム」を用いた世界初の超低損失・低コストなパワーデバイスの開発・製造販売を手掛ける。既にダイオードの実証試作に成功、世界最小の特性オン抵抗を実現するなど、数々の成果を上げる。2018年SBD量産化を目指す。その他、各種ミスト技術を活かして、耐食性や電気伝導性等の機能性付与や電子デバイスの高機能化を目的とした各種薄膜の受託成膜やコーティングサービスを実施

世界初の超低損失・低コストなコランダム構造酸化ガリウムパワーデバイスの事業化

コランダム構造酸化ガリウム(α-Ga2O3)を用いたSBDサンプル

他社SBD(SiC)とFLOSFIA製SBD(α-Ga2O3)のオン抵抗比較

ミストドライ™めっき法による4inchウエハ上の金成膜

技術・製品紹介・サービス紹介

特徴1

電力損失の大幅低減に寄与(省エネ社会の実現)
パワーデバイスで生じる電力変換損失は、生み出された電力全体の10%以上あると言われる。省エネを社会全体で実現するには、低損失なものを、安く作る新しい技術が必要不可欠である。酸化ガリウムを用いたパワーデバイスなら、シリコン同等以下のコストで、電力変換損失を大幅に削減させつつ(最大90%程度)、電力変換回路全体のコストを大幅に低減させる(50%程度)ことができる。

特徴2

コランダムファミリーの活用による早期事業化(高品質・低価格デバイスの実現)
FLSOFIAが手掛けるコランダム構造酸化ガリウムは、絶縁膜として知られているサファイアや電極材料として知られている酸化インジウムをはじめ、さまざまな酸化物と同じ結晶構造をとる。ミストCVD法により、これらファミリー材料を基板や下地材料(バッファ層)、p層、電極、絶縁膜等に活用することで、デバイスの高品質化や低価格化、早期事業化ができる。

事業ステージ

  • 技術開発

  • 製品開発

  • 生産・販売

  • その他(受託開発)

オリジナリティ

  • 世界初・日本初

  • トップレコード

  • 特許・商標登録

  • コストダウン

  • その他

事業分野

  • ものづくり

  • 計測・分析

  • 加工・製造

  • 材料・部材

  • 半導体・通信

  • 自動車

  • エネルギー

  • 建築・土木

  • ライフサイエンス

  • バイオ・医療

  • 福祉・介護

  • 医薬品・化粧品

  • 食品・農業

  • IT・サービス

  • アプリケーション

  • ミドルウェア
    デバイス

  • ソーシャル
    コミュニケーション

  • コンテンツ

  • 伝統文化

  • 生産性向上

  • クラウドサービス

  • その他

沿革

  • 京都大学発のベンチャー企業。京大・藤田静雄研究室が中心となって開発に成功した、真空装置を使わない、低コスト・安全・環境に優しい画期的な製造方法である「ミストCVD 法」を応用した各種ミスト技術をコアコンピタンスとして、『パワーデバイス事業』と『成膜ソリューション事業』に取り組む。 2017年までの累計資金調達額は14億円を超え、多数のメディアにも研究成果が紹介されるなど、業界から注目を集めている。

基本情報

所在地
〒615-8245
京都市西京区御陵大原1番36号 京大桂ベンチャープラザ北館
Mail
info[at]flosfia.com
URL
http://flosfia.com
TEL
075-963-5202
FAX
075-320-1712
代表者名
代表取締役社長 人羅 俊実
設立
2011(平成23)年3月31日
資本金
730,095,970円
従業員数
28名